以鋁箱為電極的卷繞式電容器元件，其電極可以是凹進的，稱為隱箔式.也可以是突出的，稱為突箔式.隱箔式采用引線片將電極引出.突箱式則因鋁箔突出于元件端部，可以用錫鋅焊料(底料)搪在突出的鋁箱上，然后再用錫鉛焊料(面料)與引線焊接.也可以采用專門的夾接裝置與引線央接.突箔式結構比隱箔式具有以下的優(yōu)越性:
一、具有優(yōu)良的電接觸性能考慮薄膜的浸演與溶脹，全膜電容器中通常壓緊系數(shù)較低(<0.85)，采用引線片會產生引線片與鋁箱間的接觸不良.這不僅增加了接觸電阻，甚至會因接觸不良產生火花放電.另外，引線片的毛刺易刺傷pp膜，這均會導致介質材料的損傷，影響電容器的壽命.突箱式電極則不存在上述弊端.
二、降低電容器的損耗電容器的損耗主要有三部分組成，即介質損耗、導體損耗及放電電阻損耗.隱箱式電容器中，電流將通過引線片電阻，長的鋁悄電極的電阻以及引線片與鋁箔的接觸電阻，從而造成較大的導體損耗.突箱式的導電路徑大大縮短，且不存在引線片與鋁箱的接觸電阻，因而導體損耗可大大降低.表1列出不同介質不同電極結構及引線方式電容器的損耗功率.從表1可以看出，突箱式結構電容器的損耗低于用引線片的隱箱式，而突悄式中焊接方式又優(yōu)于機械夾接式.這對電熱電容器、大容t電容器均有特殊的意義.
 


 
 
 
三、提高電容器的局部放電性能和附過電壓能力鋁箔突出改善了電極端部的電場分布，消除了引線片接觸不良的影晌，同時改善了引線片處因局部壓緊系數(shù)高造成的授演不良，因而提高了電容器的局部放電性能和耐受過電壓的能力.突箱式電容器的局部放電電壓比普通隱箱式約高30呱閣，在2 x15林m電容器暫態(tài)雙電壓TOV試臉中.引線片式電容器只通過了翻定場強為47 Mv加的TOV試驗，而突信式電容器則不僅通過了額定場強為矽M V加的TOV試驗，還通過了傾定場強為5 MV加的TOV試臉.從而說明突佰式結構可以選擇較高的工作場強，或其有較長的壽命.
四、減小了電容器元件的電感由于導電路徑縮短，它不僅減小了導體電阻，同時也減小了元件的電感.這對脈沖電容器將其有更重要的意義.
五、便于元件卷制自動化由于不要中間停車擂入引線片，更易于實現(xiàn)卷制自動化，提高生產率.（正航儀器編輯）http://www.sdbyf.com